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MSK-PSS-MC1010 磁控濺射儀

應(yīng)用范圍：MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀可在襯底基片上濺射一層薄膜，原理是由惰性工藝氣體產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象生成帶電離子，帶電離子經(jīng)過電場加速后轟擊固體靶材表面，使靶材表面原子和分子被轟擊飛濺出來，同時(shí)產(chǎn)生二次電子，再次撞擊氣體原子而形成更多的帶電離子，從靶材濺射出來的粒子在低壓氣氛中向硅片作渡越運(yùn)動，碰撞到襯底基片上并被基片吸附，最終凝聚在襯底形成需要的薄膜。

產(chǎn)品型號：MSK-PSS-MC1010

設(shè)備尺寸：約W780*D930*H1820mm

上架時(shí)間：2024-04-15

版本號：V1.0

A^-A⁺

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MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀可在襯底基片上濺射一層薄膜，原理是由惰性工藝氣體產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象生成帶電離子，帶電離子經(jīng)過電場加速后轟擊固體靶材表面，使靶材表面原子和分子被轟擊飛濺出來，同時(shí)產(chǎn)生二次電子，再次撞擊氣體原子而形成更多的帶電離子，從靶材濺射出來的粒子在低壓氣氛中向硅片作渡越運(yùn)動，碰撞到襯底基片上并被基片吸附，最終凝聚在襯底形成需要的薄膜。

功能特點(diǎn)

設(shè)備設(shè)計(jì)緊湊，可與手套箱對接；
極限真空度優(yōu)于5E-5Pa（干燥環(huán)境），濺射尺寸兼容多種規(guī)格，最大為100*100mm，并支持基片旋轉(zhuǎn)速度0～30rpm連續(xù)可調(diào)；
采用不銹鋼真空室，內(nèi)部電拋光處理，配備觀察窗、靶槍及擋板轉(zhuǎn)軸等；
真空系統(tǒng)采用“分子泵+機(jī)械泵”組合，具有高效的抽速和完善的真空測量系統(tǒng)；
氣體控制方面，具備3路進(jìn)氣并可通過流量計(jì)精確控制；
配有3個(gè)共焦向上濺射的圓形靶槍，支持低氣壓濺射以減小二次電子損傷；
設(shè)備提供旋轉(zhuǎn)加熱工件臺，可調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速、加熱溫度以及與靶之間的距離

技術(shù)參數(shù)
電源		三相五線制AC380V±10%，頻率：50Hz，總功率約6KW
氣源		壓縮空氣：干燥、干凈、無水、無油的壓縮空氣，8mm塑料氣管，壓力5.5～6公斤（0.55-0.6Mpa）普通氮?dú)猓焊稍锏獨(dú)猓糜谠O(shè)備腔室破真空，8mm塑料氣管，壓力1-2公斤（0.1-0.2Mpa）工藝氣體：高純，99.999%，共兩路工藝氣體，6mm不銹鋼管，其中一路為高純氬氣，壓力1～2公斤（0.1-0.2Mpa），另外兩路工藝氣體按工藝需求準(zhǔn)備
水源		流量15-20升/分鐘水溫15～25℃，進(jìn)水和出水壓差1～2公斤，進(jìn)水壓力2～3公斤，設(shè)備的進(jìn)水和出水口外徑12mm （建議在設(shè)備的進(jìn)水口前安裝一個(gè)球閥，方便調(diào)節(jié)水壓和水流量）
真空室		304不銹鋼真空室，內(nèi)部電拋光前后開門，門上有1個(gè)80mm觀察窗，帶擋板，防輻射底部安裝3個(gè)靶槍及擋板轉(zhuǎn)軸側(cè)壁及底部有備用法蘭接口以備將來使用可拆卸不銹鋼內(nèi)襯，手?jǐn)Q拆卸方便清理
真空系統(tǒng)	組成	分子泵+機(jī)械泵組合式真空系統(tǒng)，氣動閥門分子泵：中科科儀分子泵FF200/1300，抽速：1300L/s 機(jī)械泵：鮑斯BSV-30機(jī)械泵，抽速：9L/s 真空閥門：型號：DN40mm 擋板閥2套；主閥DN200 1套，可調(diào)限流閥1套，進(jìn)口薄膜真空計(jì)1套，量程0.0001torr-0.1torr，自動調(diào)壓真空密封：可拆靜密封采用氟橡膠圈密封，不常拆靜密封采用無氧銅密封
	真空極限	真空極限優(yōu)于5×10－5Pa（干燥環(huán)境）
	抽速	抽氣時(shí)間：大氣壓～工作真空（5*10-4Pa），約20min（對接手套箱氮?dú)猸h(huán)境）
	真空計(jì)	1個(gè)兩低一高2個(gè)真空計(jì)，測量范圍：大氣到1E-5Pa
氣體控制		3路進(jìn)氣，采用Horiba Metron（中日合資）流量計(jì)控制進(jìn)氣，流量計(jì)最大流量分別為200/100/50sccm，兩路氣體經(jīng)過流量計(jì)后混合，混合后導(dǎo)入真空室靶面
濺射靶槍		3個(gè)2英寸圓形靶槍，共焦向上濺射靶槍和工件距離80-120mm，可調(diào)節(jié) 每個(gè)靶槍帶一個(gè)獨(dú)立的電控氣動擋板可實(shí)現(xiàn)低氣壓濺射，減小二次電子損傷樣品基底
濺射電源		1臺G-POWER功率500W自動匹配射頻電源：最大輸出功率500W，頻率13.56MHz，輸出采用功率控制模式，自動匹配，匹配時(shí)間短，反射功率小于3W； 1臺北京持動力直流濺射電源：最大輸出功率500W，輸出可切換采用功率控制模式，恒流模式，恒壓模式，電源帶完善的異常打火，短路等保護(hù)功能耐用易用
旋轉(zhuǎn)加熱工件臺		最大可放置襯底基片樣品尺寸：100mm*100mm，兼容3英寸、2英寸、φ45mm、φ30mm，以及小尺寸方形片（對角線長度小于45mm）基片轉(zhuǎn)速0-30rpm連續(xù)可調(diào)，旋轉(zhuǎn)軸水冷保護(hù) 轉(zhuǎn)軸磁流體密封樣品臺加熱溫度：最高溫度500℃，控溫誤差±1℃ 樣品臺和靶之間距離采用焊接波紋管密封電動可調(diào)，帶刻度顯示成膜質(zhì)量：樣品范圍內(nèi)均勻性優(yōu)于±5%
控制系統(tǒng)		西門子PLC+西門子觸摸屏手自動控制系統(tǒng) 控制內(nèi)容：機(jī)械泵，分子泵，氣動、電磁閥門、流量計(jì)等等；自動抽真空，自動排氣等完整的互鎖保護(hù)（硬件、軟件互鎖）
真空室尺寸		約W400D400H450mm
外形尺寸		約W780D930H1820mm

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