● 工作溫度：最高900℃（<10min）；
   800℃（<30min）；600℃（長期）
● 加熱區(qū)：380mm    雙溫區(qū)：190mm+190mm
● 熱偶：進(jìn)口K型熱偶, 緊貼在放樣品的AlN片下
● 電源：AC380V, 50Hz 兩相   最大功率：24KW

● 雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，使殼體表面溫度低于60℃
● 采用短波紅外燈管對樣品加熱，可達(dá)到快速加熱的效果
● 樣品臺滑軌周圍嵌有可伸縮波紋管，允許樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下移動,以達(dá)到快速加熱和快速降溫的效果
● 內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命
● 設(shè)有開門斷電功能,提高實驗安全性

8 根紅外燈管 (每個燈管功率1.5KW）

● 最快升溫速率：
室溫~800℃： 50 ℃/s，800℃~900℃： 10℃/s
● 最快降溫速率：
60℃/min (在 200 mtorr下), 117℃/min (在一個大氣壓下) (參考值，具體請點擊)
最慢降溫速率10℃/min

● 包含一款808P型溫度控制器
● PID自動控溫系統(tǒng)
● 智能化30段可編程控制
● 控溫精度：±1℃
● 默認(rèn)DB9 PC通信連接端口
● 通過MET認(rèn)證
● 可選購電腦溫度控制軟件(用于YD518P系列控制器)用于控制升溫曲線和導(dǎo)出數(shù)據(jù)。

● 石英管尺寸: 110 O.D x 106 I.D x 740mm
● AlN 具有很高的熱導(dǎo)率，所以在樣品放置的區(qū)域有很好的溫度均勻性±5℃
● 可選：3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片
● 可選：將含坩堝蓋蓋規(guī)格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設(shè)計三個坩堝架，則可被改造成一個RTE,CSS或HPCVD爐，另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。
● 樣品架也可從法蘭上拆卸，與其他類型RTP爐配套使用。
● 一片3" AlN 片放在樣品架上用來放置需要退火的樣品。
● 3" 的樣品架固定在滑動法蘭上，材質(zhì)為石英材料。

● KF-25D型不銹鋼高真空法蘭上配有兩個高溫硅膠O形圈并安裝有針閥和水冷套。
● 在冷卻水開啟的情況下設(shè)備可長期在≦600℃溫度下工作。
● 循環(huán)水流量:0.5 m3/h
● 法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作，取放樣品簡單便捷，同時也可滿足其他特殊工藝的要求。
● 可插入式的鎧裝熱電偶，使測得樣品溫度更加精確。

● 用機(jī)械泵真空度達(dá) 50 mtorr
● 用分子泵真空度可達(dá) 10E-4 torr

● 如果您沒有水冷機(jī)，選購一臺冷卻機(jī)是必要的。
● 我們建議采用循環(huán)水制冷器作為冷卻系統(tǒng)（可節(jié)約用水）

● 此設(shè)備標(biāo)配一個機(jī)械壓力表
● 可選配其他數(shù)字真空計，具體請點擊下方圖片或咨詢銷售部

此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發(fā)）爐（可查看下方的圖片自己制備RTE）

1000（L）×540（W）×800（H） mm

180Kg

● 您可以將RTP爐，真空泵及混氣系統(tǒng)搭建組合為真空爐或CVD系統(tǒng)
● 為帶氣氛保護(hù)下得到較快的降溫速度<10℃/s, 你可以選擇帶滑軌的 RTP 爐
● 你可選購壓力控制模塊來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。
● 標(biāo)配流量計量程范圍：16-160 ml/min，您可以在我公司選購其他流量計

● 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
● 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。
● 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)
● 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
● 石英管的長時間使用溫度＜1100℃
● 對于樣品加熱的實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
● 這款爐子也可以被改造成RTE,CSS或HPCVD爐使用，同時石墨坩堝被碳化硅涂層(點擊下圖了解如何自行搭建RTE爐)

● 在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積后，石墨烯可從金屬催化劑轉(zhuǎn)移到另一個基片襯底上，此法可被廣泛應(yīng)用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯，表面平整度高且無殘渣。

所有電器元件（>24V）都通過UL?/?MET?/?CSA認(rèn)證CE認(rèn)證/若客戶出認(rèn)證費用，本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證